برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده درج نمی گردد
پاياننامه دوره کارشناسي ارشد مهندسي برق
قدرت
تشخیص و طبقهبندی عیوب داخلی ترانسفورماتورهای قدرت با بهره گیری از درخت تصمیم مبتنی بر شبیه سازی مدل الکتریکی ترانسفورماتور
اساتید راهنما:
حمید جوادی
فرهاد حق جو
پاییز 92
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
چکيده
شبکه گسترده سیستم قدرت دارای تجهیزات بسیار گران قیمتی میباشد که مانند آن میتوان به ژنراتور، بریکر، کابلهای قدرت و ترانسفورماتور تصریح نمود. ترانسفورماتور قدرت به عنوان قلب تپنده این شبکه بوده که همواره تحت تاثیر شرایط بهرهبرداری و محیطی، دچار خطاهای مختلفی شده و در بعضی موارد سبب خرابی و خروج از مدار ترانسفورماتور و عدم دسترسی طولانی مدت خواهد گردید. در نتیجه برنامه های تعمیر و نگهداری بایستی به جای مبتنی بر زمان، مبتنی بر شرایط بهره برداري و محيطي گردند که این مسئله خود مستلزم آن میباشد که از شرایط حال تجهیز نيز آگاه باشیم. لذا بهره گیری از روشهای نظارت و تشخیص خطا که توانایی ارزیابی شرایط داخلی تجهیزات را دارند، بسیار با اهمیت خواهد بود.
روشهای مختلفی به مقصود تشخیص خطا در درون ترانسفورماتور هست که از آن جمله می توان به واکاوی گازهای محلول، تخلیهجزیی و تحلیل پاسخ فرکانسی تصریح نمود. با در نظر داشتن محدودیتهای دو روش اول در تشخیص انواع خطاها، تحلیل پاسخ فرکانسی یکی از بهترین روشهای موثر در زمینه تشخیص خطاهای الکتریکی و مکانیکی در درون ترانسفورماتور میباشد. با این حال به دلیل متکی بودن این روش بر مقایسه گرافیکی، تفسیر نتایج حاصله از پاسخ فرکانسی بسیار مشکل بوده و هنوز هیچ ارتباط و روش کلی و فراگیر برای طبقهبندی وجود ندارد. هدف این پایان نامه تشخیص و طبقهبندی خطای ترانسفورماتور با کمک پاسخ فرکانسی و درخت تصمیم میباشد. با بهره گیری از مدل الکتریکی متمرکز ترانسفورماتور قدرت خطاهای مختلفی شبیهسازی شده و با بهره گیری از درخت تصمیم طبقهبندی آنها صورت گرفته می باشد. نتایج نشان میدهند که ترکیب پاسخ فرکانسی به همراه درخت تصمیم دارای دقت و سرعت بالایی نسبت به روشهای دیگر در طبقهبندی خطا در ترانسفورماتورهاي قدرت دارد.
واژههای کلیدی: ترانسفورماتور قدرت؛ مدل الکتریکی متمرکز؛ پاسخ فرکانسی؛ درخت تصمیم؛ طبقهبندی خطا
فهرست مطالب
عنوان صفحه
2- عوامل خرابی ترانسفورماتور و روشهای تشخیص آنها.. 8
2-1- عوامل خرابی ترانسفورماتور.. 8
2-1-1- عوامل خرابی از نگاه سیستمی.. 8
2-1-2- عوامل خرابی از نگاه مکان خطا.. 9
2-2- اجزای ترانسفورماتور و تأثیر آنها در بروز خطا.. 10
2-2-1- خطاهای مربوط به تانک.. 11
2-2-2- خطاهای مربوط به هسته.. 11
2-2-3- خرابی تپچنجر زیر بار.. 12
3-1- تاریخچه مدلسازی ترانسفورماتور.. 17
3-2- کاربرد مدلهای ترانسفورماتور.. 18
3-2-1- تحلیل گذرای سیمپیچ.. 18
3-2-3- مکانیابی تخلیه جزیی.. 18
3-2-4- تحلیل پاسخ فرکانسی.. 19
3-3- انواع مدلهای ترانسفورماتور.. 19
3-3-2- مدل اندوکتانس نشتی.. 20
3-3-3- مدل مبتنی بر اصل دوگان.. 20
3-3-4- مدل میدان الکترومغناطیسی.. 21
3-3-5- مدل مقاومت اندوکتانس و ظرفیت خازنی هندسی (RLC)(متمرکز) 21
3-5- محاسبه پارامترهای مداری مدل متمرکز.. 23
4-2-2- تحلیل جاروب پاسخ فرکانسی.. 40
4-4- آرایشهای مختلف تست پاسخ فرکانسی.. 42
4-5- تحلیل مداری مدل متمرکز.. 43
5-2- پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در حالت سالم.. 49
5-2-1- تست نوع اول برای سیمپیچ فشارقوی.. 49
5-3- روش تحلیل اندازهگیریهای FRA.. 51
5-4-1- تغییر فاصله بین دیسکی.. 52
5-5- اثر عیوب بر نحوه تغییر پاسخ فرکانسی.. 56
5-5-2- خطای جابهجایی محوری.. 59
5-5-3- تغییر فضای بین دیسکها.. 60
5-6- دیاگرام ولتاژ- جریان.. 62
6- الگوریتم های طبقه بندی.. 65
6-4- پیادهسازی درخت تصمیم به مقصود طبقهبندی خطا در ترانسفورماتور.. 76
7- نتیجهگیری و پیشنهادات.. 88
پیوست الف- وابستگی نفوذپذیری مغناطیسی با فرکانس.. 91
پیوست ب- محاسبه ظرفیت خازنی سری در سیمپیج دیسکی.. 93
ب- 1: ظرفیت خازنی معادل دور به دور در یک دیسک.. 93
ب- 2: ظرفیت خازنی معادل دیسک به دیسک.. 93
پیوست ج- تحلیل مداری مدل متمرکز.. 95
ج-1- معادله دیفرانسیل برای ظرفیت خازنی.. 95
ج-2- معادله دیفرانسیل برای اندوکتانس.. 95
ج-3- محاسبات ولتاژی و جریانی.. 96
ج-4- تعریف ماتریسهای عناصر مداری با در نظر داشتن درخت.. 97
پیوست د- آشنایی با عملکرد درخت تصمیم.. 101
پیوست ی- مشخصات فنی ترانسفورماتور.. 106
عنوان علامت اختصاري
شار ماکزیمم
ولتاژ اعمالی به سیمپیچ
فرکانس
تعداد دورهای سیمپیچ فشار قوی
تعداد دورهای سیمپیچ فشارضعیف
نیروی الکترومغناطیسی
طول مسیر مغناطیسی
جریان سیمپیچ
چگالی شار
مقاومت سری فشارقوی
مقاومت سری فشارضعیف
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیمپیچ فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیمپیچ فشارضعیف
ظرفیت خازنی موازی سیمپیچ فشارقوی با زمین
ظرفیت خازنی موازی سیمپیچ فشارضعیف با زمین
ظرفیت خازنی بین سیمپیچهای فشارقوی X , Y
ظرفیت خازنی بین سیمپیچهای فشارقویY , Z
رلوکتانس مدارمغناطیسی
سطح مقطع متوسط هسته
ضریب نفوذپذیری مغناطیسی هسته
اندوکتانس فاز X
رلوکتانس بخش مغناطیسی
بخش مغناطیسی اندوکتانس فاز X
طول مسیر مغناطیسی ستون هسته
طول مسیر مغناطیسی یوغ هسته
اندوکتانس نشتی کلی فاز X
اندوکتانس کل(مغناطیسی و نشتی) فاز X
ضریب پراکندگی
ثابت نسبت مقیاس
نفوذپذیری مختلط مغناطیسی
نفوذپذیری مغناطیسی نسبی
ثابت انتشار
ضخامت ورقه هسته
بخش حقیقی نفوذپذیری
بخش حقیقی نفوذپذیری
امپدانس سیمپیچ با هسته هوایی
مقاومت سیمپیچ با هسته هوایی
اندوکتانس با هسته هوایی
رلوکتانس کویل فاز X
رلوکتانس پنجره هسته
رلوکتانس مغناطیسی بخش پنجره هسته
شعاع سیمپیچ i ام
اتفاع بین دو سیمپیچ
مقاومت پوستی
مقاومت مستقیم
مقاومت مجاورت
رسانایی
عمق نفوذ
ضریب گذردهی الکتریکی خلا
ضریب گذردهی نسبی الکتریکی محیط
ارتفاع تغییر یافته سیمپیچ
شعاع داخلی سیمپیچ
شعاع خارجی سیمپیچ
ضریب گذردهی الکتریکی مختلط
تعداد طبقات مدل الکتریکی متمرکز
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ضخامت هادی در هر دیسک
تعداد دورهای یک دیسک
تعداد دیسکهای ادغام شده
مقاومت سری در مدل متمرکز
مقاومت سری تبدیل شده
کنداکتانس موازی در مدل متمرکز
آنتروپی نرمالیزه شده
انرژی
انرژی نرمالیزه شده
مرکز ثقل بیضی
عنوان صفحه
جدول 3‑1: ماتریس اندوکتانس ترانسفورماتور سه فاز.. 25
جدول 3‑2: مقادیر گذردهی الکتریکی مواد در 2محیط روغنی و بیروغن[8].. 33
جدول 6‑1: مقادیر نرمالیزه شده ویژگی های مورد بهره گیری – یک حالت برای هر خطا.. 78
جدول 6‑3: مقایسه شش درخت تصمیم.. 86
عنوان صفحه
شکل 2‑1: میزان تاثیر اجزای ترانسفورماتور در رخداد خطا]2[ 11
شکل 2‑2: شماتیک ترانسفورماتور سه ستونه با اتصال حلقه[37] 13
شکل 2‑3: توزیع شار نشتی و نیروهای شعاعی و محوری ایجاد شده توسط آن.. 14
شکل 2‑4: برش از بالا- نیروی وارده بر استوانه سیم پیچ.. 14
شکل 2‑5: تغییر شکل-سمت راست: Free- سمت چپ: Force. 15
شکل 2‑6: جابه جایی محوری سیم پیچ ها نسبت به هم.. 15
شکل 2‑7: تغییر فضای بین دو دیسک متوالی.. 16
شکل 3‑1: اولین مدل ترانسفورماتور[40].. 17
شکل 3‑2: مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور برای فاز X[46] 22
شکل 3‑3: مدار مغناطیسی معادل ترانسفورماتور سه فاز.. 24
شکل 3‑4: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس.. 26
شکل 3‑5: توزیع چگالی شار مغناطیسی در پنجره هسته(از سمت فشارضعیف به طرف فشارقوی)[35].. 28
شکل 3‑6: بخشهای iام و jام سیمپیچ.. 28
شکل 3‑7: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی.. 30
شکل 3‑8: برش از بالا- نحوه قرارگیری سیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور.. 30
شکل 3‑10: سیستم عایقی بین سیم پیچ فشارقوی و فشارضعیف.. 32
شکل 3‑11: مدل ساده شده سیستم عایقی.. 32
شکل 3‑12: برش بالای استوانه های موازی.. 33
شکل 3‑13: هادی استوانه ای در برابر صفحه زمین شده.. 34
شکل 3‑14: ظرفیت های خازنی دوربه دور و دیسک به دیسک در سیم پیچی دیسکی[46].. 35
شکل 3‑15: یک جفت دیسک سیم پیچ فشارقوی[46].. 36
شکل 3‑16: سیستم عایقی ساده شده بین دیسکی[53].. 36
شکل 3‑17: مدار ساده شده به مقصود محاسبه ظرفیت خازنی سری 37
شکل 4‑1: پیکربندی تست نوع اول[52].. 42
شکل 4‑2: پیکربندی تست نوع سوم[52].. 43
شکل 4‑3: درخت نرمال توصیفی مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور[46].. 44
شکل 5‑1: پاسخ فرکانسی برای فازهاي A و B در حالت سالم در تست نوع اول.. 50
شکل 5‑2: پاسخ فرکانسی برای فازهاي A و B در حالت سالم در تست نوع سوم.. 51
شکل 5‑3: اثر افزایش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53
شکل 5‑4: اثر کاهش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی.. 53
شکل 5‑5: اثر افزایش شعاع سیم پیچ فشارقوی بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 54
شکل 5‑6: اثر کاهش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55
شکل 5‑7: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی.. 55
شکل 5‑8: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی بالا.. 56
شکل 5‑14: دیاگرام ولتاژ- جریان.. 63
شکل 6‑1: درخت تصمیم نمونه.. 68
شکل 6‑2: فایل متنی برای نرم افزار Weka. 72
شکل 6‑3: فلوچارت طبقه بندی.. 76
شکل 6‑4: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت 78
شکل 6‑5: درخت تصمیم اول- با هشت ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب 80
شکل 6‑6: درخت تصمیم دوم- با دو ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب 81
شکل 6‑7: درخت تصمیم سوم- با ده ورودی: مقادیر آستانه به ترتیب : 82
شکل 6‑8: ساختار سه درخت تصمیم متفاوت با ورودی های متفاوت 83
شکل 6‑9: درخت تصمیم با 32 ورودی : مقادیر آستانه پارامترها به ترتیب : 84
شکل 6‑10: درخت تصمیم با 8 ورودی : مقادیر آستانه پارامترها: ترتیب : 85
شکل 6‑11: درخت تصمیم با چهل ورودی: مقادیر آستانه ترتیب : 86
1- مقدمه
1-1- مقدمه
یکی از سیستمهای مهم و پیچیده که تاکنون ساخته شده می باشد، سیستم قدرت میباشد. سیستم الکتریکی قدرت تأثیر کلیدی در جوامع مدرن بازی میکند. ترانسفورماتورهای قدرت[1] یکی از مهمترین اجزا در هر سیستم قدرتی میباشند. در حقیقت ترانسفورماتورهای قدرت، تأثیر لینک ارتباطی بین بخش تولید و انتفال را بر عهده دارند و هر گونه خروج عدم برنامهریزیشده آن، باعث قطع توان و خاموشی میگردد. ترانسفورماتورهای قدرت تحت شرایط بهرهبرداری و محیطی مختلف، دچار آسیبهای متفاوتی میشوند. بعضی از این خطاها و آسیبها بسیار شدید بوده و ادوات حفاطتی ترانسفورماتور را وادار به عملکرد کرده و به یکباره ترانسفورماتور را از مدار خارج میکنند درحالیکه بعضی از خطاها این شدت را نداشته و ادوات حفاظتی به راحتی قادر به تشخیص آنها نخواهند بود. این دسته از خطاها در سیستم عایقی، سیمپیچها و هسته ترانسفورماتورهای قدرت رخ داده که تشخیص آنها مشکل میباشد.از همینرو به مقصود ارزیابی وضعیت ترانسفورماتورهای قدرت، تستها و آزمایشهای مختلفی به صورت برنامهریزیشده مبتنی بر زمان بر روی آنها انجام میگیرد. اکثر این تستها در حالت نابهنگام انجام شده واین مستلزم خروج ترانسفورماتور از مدار بوده که از نظر قابلیت اطمینان سیستم و هزینههای مربوط به قطع توان و خاموشی، بهینه و منطقی نمیباشد. به دلیل اهمیت ترانسفورماتورهای قدرت و مشکل موجود در تستهای آفلاین، بهرهبرداران به انجام تستها و تشخیص خطا به صورت بهنگام رویآوردند تا بهگونه دائم از وضعیت جاری ترانسفورماتور آگاهی داشته و از خروج غیربرنامهریزی شده ترانسفورماتور جلوگیری کنند و هزینههای خروج را کاهش دهند.
اکثر آسیبها که به مرور زمان به خرابیهای بزرگتر تبدیل میشوند در قسمت فعال ترانسفورماتور یعنی هسته و سیمپیچها اتفاق میافتند. بعنوان مثال با تضعیف سیستم عایقی ترانسفورماتور فشار بستها کاهش یافته و در نتیجه منجر به کاهش مقاومت مکانیکی میگردد. بسیاری از خرابیهای دیالکتریک در داخل ترانسفورماتور نتیجه مستقیم کاهش مقاومت مکانیکی به خاطر تغییر شکل و دفرمه شدن[2]، میباشند[1]. پس تشخیص هرچه زودتر تغییر شکلهای سیمپیچ و هسته بسیار قابل توجه و مهم خواهد گردید.
روشها و تستهای مختلفی به مقصود ارزیابی شرایط ترانسفورماتور هست که از آن جمله میتوان به روشهایی مانند تحلیل پاسخ فرکانسی[3]، واکاوی گازهای محلول[4]، پردازش سیگنال[5]، شار نشتی[6] و جریان توالی منفی[7] … نام برد[2]. از بین آنها، روش تحلیل پاسخ فرکانسی روشی بسیار محبوب، فراگیر بوده که قابلیت بالایی در تشخیص خطاها داشته و پیادهسازی آن ساده و راحت میباشد.
1-2- اظهار مسئله
جریان خطا در ترانسفورماتور قدرت به سیمپیچها و ساختار مکانیکی متناظر با آن، استرس مکانیکی بسیار شدیدی را وارد میکند. این استرس منجر به تغییرات در سیمپیچها شده و خرابی بالقوه ترانسفورماتور را همراه خواهد داشت. این تغییرات بر مقادیر خازنی و اندوکتیو سیمپیچها تاثیر گذاشته و در نتیجه باعث تغییر در پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور شده و از این رو براحتی قابل تشخیص خواهند بود.
تحلیل پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور که از سال 1978 ارائه شده می باشد، یک ابزار رایج تشخیص تغییرات سیمپیچهای ترانسفورماتور میباشد. تحلیل پاسخ فرکانسی با تزریق یک سیگنال بین ترمینالهای ترانسفورماتور و محاسبه دامنه و فاز پاسخ دریافتی پیش روی فرکانس، پیادهسازی خواهد گردید[3]. بطورکلی این روش، یک تکنیک صنعتی برای افراد ماهر در زمینه خطایابی میباشد که پاسخ فرکانسی را با دادههای تاریخی ثبت شده یا با اطلاعات ترانسفورماتور مشابه(اصطلاحا ترانسفورماتور خواهر) از نظر ظاهری مورد مقایسه قرار دهند.
تغییر شکلهای جزیی در سیمپیچهای ترانسفورماتور هیچ اثر قابل توجهی بر مشخصات بهرهبرداری ایجاد نمیکنند، اما خواص مکانیکی مس ممکن می باشد تغییر کند و همچنین مقاومت ضربه[8] بطور قابلتوجهی بهخاطر آسیب عایقی و کاهش فواصل، کاهش یابد. هرچند این تغییر شکلها بعد از یک دوره زمانی طولانی مدت از طریق تحلیل روغن یا رله بوخهلتز[9] قابل شناسایی خواهند بود.
این به آن معناست که روشهای تشخیصی پیشرفتهتری برای ترانسفورماتور با بهره گیری از پردازش سیگنال به مقصود تشخیص خطای داخلی نیاز می باشد. روشهای پردازش سیگنال برای بیرون کشیدن اطلاعات مفید از سیگنال مورد نظر مورد بهره گیری قرار میگیرد. در این روش، سیگنال میتواند بصورت شکل موج ولتاژ، جریان تونرال[10] یا ترکیبی از آنها باشد. به دلیل اینکه روشهای موجود برای ارزیابی شرایط داخلی ترانسفورماتور نمیتواند همه انواع خطاهای مختلف را نشان دهد، به روشهای هوشمندی نیاز می باشد تا قادر به تشخیص خطا و نوع آن باشند. در مراجع مختلف روشهای متفاوتی برای نیل به این مطلب ارائه کردهاند.
1-3- مروری بر مقالات
این قسمت به مروری بر مقالاتی که در این زمینه پژوهش کرده و چاپ گردیده پرداخته می باشد. در بععضی از این مقالات به مدلسازی ترانسفورماتور به مقصود تعیین پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور متمرکز شده و در بعضی دیگر مسئله تشخیص و طبقهبندی خطای ترانسفورماتور مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.
- در مرجع [4] ، مدل شبکهای متوالی الکتریکی[11] برای سیمپیچ فشارقوی انتخاب شده و پاسخ فرکانسی آن محاسبه شده می باشد. پاسخ فرکانسی به سه رنج پایین، میانی و بالا تقسیم شده و ظرفیت خازنی سری در رنج فرکانسی پایین و اندوکتانس در رنج فرکانسی بالا در نظر گرفته نشده می باشد و حساسیت پاسخ فرکانسی به تغییرات پارامترها مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.
- در مرجع [5] یک مدل دقیق از ترانسفورماتور تکفاز به مقصود تشخیص خطای جابهجایی محوری[12] و تغيير شكل ارائه شده می باشد. در مدل مزبور مقاومتهای موازی(تلفات دیالکتریک) و سری(تلفات مسی) بصورت وابسته به فرکانس در نظر گرفته شده می باشد. البته اثر هسته و اندوکتانس مربوط به آن در فرکانسهای بالاتر از 10کیلوهرتز نادیده گرفته شده می باشد. پارامترهای مداری از دو روش تحلیلی و المان محدود[13] محاسبه شده و حساسیت تستهای مختلف بر پاسخ فرکانسی مورد ارزیابی قرار گرفته می باشد.
- در مراجع [6, 7] روش آزمایشگاهی برای تشخیص خطای اتصالکوتاه در ترانسفورماتور با بهره گیری از پاسخ فرکانسی ارائه شده می باشد. اثر تجهزات اندازهگیری(گوپلینگهای سلفی و خازنی) بر روی پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور مورد پژوهش قرار گرفته می باشد.
- در مرجع [8] یک مدل دقیق از ترانسفورماتور سه فاز ارائه شده که شامل تلفات وابسته به فرکانس که ناشی از جریانهای جریان فوکو[14] در هسته و سیمپیچ می باشد، ارائه شده می باشد. به مقصود تعیین پارامترها از تحلیل المان محدود دوبعدی بهره گیری شدهاست. یکی از مشاهدات مهم در این مرجع، قابل توجه بودن اثر هسته و اندوکتانس تا فرکانس یک مگاهرتز میباشد.
- در مرجع [9] حساسیت پاسخ فرکانسی به اتصالات مختلف اندازهگیری و توانایی آنها در تشخیص خطاهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته می باشد. دو تست نوع اول و سوم (که در بخش4-4- بحث خواهد گردید) نسبت به تشخیص خطاها دارای حساسیت بیشتری خواهند بود.
- در مراجع[10-12] یک مدل جامع و کامل از ترانسفورماتور سه فاز ارائه شده می باشد که تمام اثرات وابسته به فرکانس هسته، سیمپیچها و سیستم عایقی لحاظ شده می باشد. این مدل تا فرکانس یک مگاهرتز معتبر میباشد.
- در مراجع [13-17] از شبکه عصبی[15] برای تشخیص خطا در درون ترانسفورماتور بهره گیری شده می باشد. اطلاعات مورد بهره گیری در شبکه عصبی از تحلیل گازهای محلول بهره گیری شده می باشد. گازهای مهم و کلیدی چاپ گردیده از روغن به عنوان ورودی شبکه عصبی انتخاب شده می باشد. همچنین در مراجع[18, 19] از ترکیب الگوریتم بردار پشتیبان ماشین[16] و تحلیل گازهای محلول برای خطایابی خطا بهره گیری شده می باشد.
- در مرجع [20] با بهره گیری از ترانسفورماتور سهفاز و با تستهای آزمایشگاهی پاسخ فرکانسی برای اتصال کوتاه بین دورها و بین فازها و سیمپیچها اندازهگیری شده می باشد و با بهره گیری از معیارهای آماری مانند ضریبهمبستگی[17]، مجموع مربعات خطا[18] و مجموع قدرمطلق لگاریتمی خطا[19] به مقصود بهره گیری در روش تحلیل تجزیه فرکانسی بهره برده شده می باشد.
- در مرجع [21] به مقصود تشخیص خطای تغيير شكل سیمپیچها از شبکه عصبی و پاسخ فرکانسی بهره برده می باشد. پاسخ فرکانسی در شرایط آزمایشگاهی اندازهگیری شده و از دو معیار انحراف معیار[20] و ضریب همبستگی به عنوان ورودی شبکه عصبی اتخاذ شده می باشد.
- درمرجع [22] از روش ER[21] که مبتنی بر اطلاعات پاسخ فرکانسی می باشد، به مقصود ارزیابی شرایط سیمپیچ ترانسفورماتور قدرت بهره برده می باشد. خطای اتصالکوتاه، تغییر شکل و جابهجاییمحوری شبیه سازی شده و با این اطلاعات الگوریتم مورد نظر تشکیل میگردد.
- در مرجع [23] مدل الکتریکی برای ترانسفورماتور تکفاز به کار گرفته شده و با بهره گیری از توابع تبدیل مختلف نمودارهای پاسخ فرکانسی شبیهسازی اندازهگیری شده می باشد. خطای تغییر شکل و جابهجاییمحوری مورد مطالعه قرار گرفته و حساسیت توابع تبدیل مختلف در تشخیص به این دو نوع خطا ارزیابی شده می باشد.
[2] – Deformation
[3] -Frequency Rwsponse Analyse
[4] -Dissolve Gas Analyse
[5] -Signal Processing
[6] – Leakage Flux
[7] -Negative Current Sequence
[8] -Impulse Resistance
[10] Neutral Current
[11] -Laddder Network Model
[12] – Axial Displacement
[13] -Finit Element Methode
[14] – Eddy Current
[15] -Neural network
[16] – Support Vector Machine
[17] – correlation coefficient
[18] -Sum Square Error
[19] -Absolute Sum Logarithmic Error
[20] – Standard Deviation
[21] – Evidental Reasoning
***ممکن می باشد هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود اما در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود می باشد***
متن کامل را می توانید دانلود نمائید
زیرا فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به گونه نمونه)
اما در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه
با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند
موجود می باشد
تعداد صفحه :128